【一周热点】NAND技术迎突破；服务器出货预估；半导体项目盘点
“芯”闻摘要
Q3服务器出货预估
NAND技术迎突破
半导体项目盘点
第三代半导体战局激烈
又一代工厂商获资助
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Q3服务器出货预估
根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新报告指出，今年整体环境虽受AI预算影响，导致全年通用型服务器(general server)成长不如预期，但近期相关零部件，如基板管理控制器(BMC, Board Management Controller)、新款CPU等，基于服务器新平台的导入，OEMs与CSPs均出现不错的采购动力；此外，在ODMs供应链的调查也发现，服务器出货除第一季呈现淡季外，第二季与第三季有呈现季增的趋势。
从供应链角度来看，OEMs与CSPs在CPU准备上也较以往积极，除Intel Sapphire Rapids与Emerald Rapids均呈现季增外，AMD Bergamo与Genoa也受惠云端动能加大拉货力道。在BMC部分，更得利于量产在即的GB200、中系业者备货动能提升，纷纷于第二季底与第三季拉大订单规模。TrendForce集邦咨询预期，DRAM位元出货量将优于原本预期，且DDR5占比将在第三季提升至60%大关...详情请点击《上游供应链库存回补及需求增温，预估第三季服务器出货增幅4-5%》
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NAND技术迎突破
AI人工智能正推动存储器产业强劲发展，AI应用带来了海量数据增长，存储容量与性能需求大幅提升，NAND Flash技术重要性不断凸显。因此，存储大厂积极布局以HBM为代表的DRAM产业的同时，也并未忽视NAND Flash的发展。
最新消息显示，三星、铠侠两家大厂NAND技术迎来新进展。近日韩媒The Elec报道，三星正在其第九代V-NAND“金属布线”（metal wiring）环节中首次使用钼（Mo）材料。
7月3日，铠侠宣布已经开始使用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术，向客户提供2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存样品，该款产品在业内拥有最大容量，有望推动包括人工智能在内的多个应用领域成长...详情请点击《存储大厂NAND技术迎突破》
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半导体项目盘点
据全球半导体观察不完全统计，6月共有近50个半导体相关项目传来签约、开工、封顶、竣工/投产等新动态。
根据图表，项目主要涵盖第三代半导体碳化硅、氮化镓，先进封装、半导体材料、半导体设备、MEMS传感器、IGBT等细分领域，其中不乏有很多明星企业的身影，如日月光、英飞凌、天岳先进、容大感光、沪硅产业、晶盛机电、士兰微、长飞先进、芯联集成等。
从已披露的项目投资金额上看，百亿元项目共计6个，分别是70亿欧元（约544.24亿元人民币）的英飞凌马来西亚居林的8英寸碳化硅（SiC）晶圆厂、预计超过200亿元的长飞先进武汉基地...详情请点击《近50个，从半导体项目看产业趋势》
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第三代半导体战局激烈
目前，第三代半导体是全球战略竞争新的制高点，也是各地区的重点扶持行业，意法半导体、英飞凌、安世半导体、三安光电等头部厂商顺势而上，加速布局第三代半导体，市场战火已燃，一场群雄逐鹿之战正在上演。
业界认为，面对下游行业需求的爆发，提升工艺及良率，扩大晶圆产能是行业当务之急。
第三代半导体产能供应紧张，三安/意法等大厂在前线冲锋。据悉，近期三安光电、意法半导体联手布局的8英寸碳化硅器件合资制造厂主设备进场，这标志着重庆三安衬底工厂通线，即将进入倒计时阶段...详情请点击《抢夺赛位，第三代半导体战局激烈》
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又一代工厂商获资助
当地时间7月1日，美国商务部宣布与MEMS代工厂Rogue Valley Microdevices（以下简称“RVM”）达成初步条款，支持其建设新晶圆制造厂。
而此前当地时间6月26日，半导体材料厂商Entegris宣布，根据《芯片与科学法案》而获得美国政府7500万美元的直接补助。
据悉，美国商务部已与RVM签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，后者将根据《芯片与科学法案》获得670万美元的直接补助，而这也是首家根据《芯片与科学法案》而获得补助的MEMS代工厂...详情请点击《建设300mm晶圆厂，又一代工厂商获资助》
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